CHINA Memória de circuito integrado durável com retenção de dados de longa duração 166 MHz

Memória de circuito integrado durável com retenção de dados de longa duração 166 MHz

Type: Integrated Circuit Storage
Data Transfer Rate: 1.8ms
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
CHINA Memória de circuito integrado de 2 GB para armazenamento de dados confiável e simplificado

Memória de circuito integrado de 2 GB para armazenamento de dados confiável e simplificado

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
Type: Integrated Circuit Storage
CHINA Retenção de dados 166 MHz com memória de circuito integrado com armazenamento

Retenção de dados 166 MHz com memória de circuito integrado com armazenamento

Voltage: 1.7V ~ 2V
Type: Integrated Circuit Storage
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
CHINA Memória de circuito integrado de alto desempenho com retenção de dados não voláteis 166 MHz

Memória de circuito integrado de alto desempenho com retenção de dados não voláteis 166 MHz

Capacity: 2Gb
Access Time: Non-Volatile
Data Transfer Rate: 1.8ms
CHINA Memória de circuito integrado de retenção de dados de 166 MHz para melhoria do desempenho

Memória de circuito integrado de retenção de dados de 166 MHz para melhoria do desempenho

Access Time: Non-Volatile
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Type: Integrated Circuit Storage
CHINA Memória de circuito integrado de alto desempenho para tarefas exigentes

Memória de circuito integrado de alto desempenho para tarefas exigentes

Data Retention: 166 MHz
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
CHINA Memória de circuito integrado compacto com retenção de dados de 1,7 V - 2 V de tensão de 166 MHz

Memória de circuito integrado compacto com retenção de dados de 1,7 V - 2 V de tensão de 166 MHz

Access Time: Non-Volatile
Data Retention: 166 MHz
Type: Integrated Circuit Storage
CHINA Armazenamento e transferência de dados eficientes com memória de circuito integrado

Armazenamento e transferência de dados eficientes com memória de circuito integrado

Capacity: 2Gb
Access Time: Non-Volatile
Data Retention: 166 MHz
CHINA Retenção de dados a 166 MHz Memória de circuito integrado com tempo de acesso não volátil

Retenção de dados a 166 MHz Memória de circuito integrado com tempo de acesso não volátil

Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Transfer Rate: 1.8ms
Access Time: Non-Volatile
CHINA Capacidade de 2 GB Memória de circuito integrado Potente desempenho a 1,7 V - 2 V

Capacidade de 2 GB Memória de circuito integrado Potente desempenho a 1,7 V - 2 V

Data Retention: 166 MHz
Capacity: 2Gb
Voltage: 1.7V ~ 2V
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