CHINA Memória de circuito integrado de 2 GB de capacidade com temperatura de funcionamento de -40°C a 125°C

Memória de circuito integrado de 2 GB de capacidade com temperatura de funcionamento de -40°C a 125°C

Data Retention: 166 MHz
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Type: Integrated Circuit Storage
CHINA Voltagem 1,7 V - 2 V Memória de circuito integrado 2 GB para armazenamento eficiente de dados

Voltagem 1,7 V - 2 V Memória de circuito integrado 2 GB para armazenamento eficiente de dados

Capacity: 2Gb
Data Retention: 166 MHz
Voltage: 1.7V ~ 2V
CHINA 1.7V-2V armazenamento de circuito integrado MT25QU02GCBB8E12-0AUT

1.7V-2V armazenamento de circuito integrado MT25QU02GCBB8E12-0AUT

Tipo: Armazenamento do circuito integrado
Intervalo de temperatura de funcionamento: -40°C ~ 125°C(TA)
Capacidade: 2GB
CHINA Memória de circuito integrado confiável taxa de transferência de dados de 1,8 ms

Memória de circuito integrado confiável taxa de transferência de dados de 1,8 ms

Intervalo de temperatura de funcionamento: -40°C ~ 125°C(TA)
Taxa de transferência de dados: 1.8ms
Voltagem: 1.7V ~ 2V
CHINA Memória de circuito integrado de retenção de dados de 166 MHz

Memória de circuito integrado de retenção de dados de 166 MHz

Tipo: Armazenamento do circuito integrado
Capacidade: 2GB
Voltagem: 1.7V ~ 2V
CHINA Resistência industrial Memória de circuito integrado 2 GB Capacidade

Resistência industrial Memória de circuito integrado 2 GB Capacidade

Retenção dos dados: 166 MHz
Taxa de transferência de dados: 1.8ms
Tempo de acesso: Não voláteis
CHINA Solução de memória de circuito integrado - Capacidade de 2 GB para operações eficientes

Solução de memória de circuito integrado - Capacidade de 2 GB para operações eficientes

Type: Integrated Circuit Storage
Voltage: 1.7V ~ 2V
Capacity: 2Gb
CHINA Memória de circuito integrado de 2 GB com capacidade de retenção de dados de 166 MHz para processamento de alta velocidade

Memória de circuito integrado de 2 GB com capacidade de retenção de dados de 166 MHz para processamento de alta velocidade

Voltage: 1.7V ~ 2V
Access Time: Non-Volatile
Type: Integrated Circuit Storage
CHINA Memória de circuito integrado de retenção de dados de alta velocidade a 166 MHz para armazenamento eficiente

Memória de circuito integrado de retenção de dados de alta velocidade a 166 MHz para armazenamento eficiente

Data Transfer Rate: 1.8ms
Type: Integrated Circuit Storage
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
CHINA Memória de circuito integrado confiável e eficiente 2 GB Capacidade 1,8 ms Taxa de transferência de dados

Memória de circuito integrado confiável e eficiente 2 GB Capacidade 1,8 ms Taxa de transferência de dados

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Retention: 166 MHz
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