CHINA Armazenamento e transferência de dados eficientes com memória de circuito integrado

Armazenamento e transferência de dados eficientes com memória de circuito integrado

Capacity: 2Gb
Access Time: Non-Volatile
Data Retention: 166 MHz
CHINA Retenção de dados a 166 MHz Memória de circuito integrado com tempo de acesso não volátil

Retenção de dados a 166 MHz Memória de circuito integrado com tempo de acesso não volátil

Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Transfer Rate: 1.8ms
Access Time: Non-Volatile
CHINA Capacidade de 2 GB Memória de circuito integrado Potente desempenho a 1,7 V - 2 V

Capacidade de 2 GB Memória de circuito integrado Potente desempenho a 1,7 V - 2 V

Data Retention: 166 MHz
Capacity: 2Gb
Voltage: 1.7V ~ 2V
CHINA Memória de circuito integrado não volátil Acesso a dados confiável com tensão de 1,7 V - 2 V

Memória de circuito integrado não volátil Acesso a dados confiável com tensão de 1,7 V - 2 V

Data Retention: 166 MHz
Data Transfer Rate: 1.8ms
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
VIDEO CHINA Memória de circuito integrado não volátil com capacidade de retenção de dados de 166 MHz e tensão de 1,7 V a 2 V

Memória de circuito integrado não volátil com capacidade de retenção de dados de 166 MHz e tensão de 1,7 V a 2 V

Taxa de transferência de dados: 1.8ms
Variação da temperatura de funcionamento: -40°C ~ 125°C(TA)
Tempo de acesso: Permanente
VIDEO CHINA Sistema de armazenamento de circuito integrado de 166 MHz, retenção de dados de 1,7 V a 2 V

Sistema de armazenamento de circuito integrado de 166 MHz, retenção de dados de 1,7 V a 2 V

Taxa de transferência de dados: 1.8ms
Retenção dos dados: 166 megahertz
Tensão: 1.7V ~ 2V
CHINA Introdução de memória de circuito integrado com capacidade de 2 GB para armazenamento eficiente de dados

Introdução de memória de circuito integrado com capacidade de 2 GB para armazenamento eficiente de dados

Capacity: 2Gb
Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Transfer Rate: 1.8ms
CHINA Tempo de acesso não volátil Solução de memória de circuito integrado Gestão eficiente de dados

Tempo de acesso não volátil Solução de memória de circuito integrado Gestão eficiente de dados

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Type: Integrated Circuit Storage
Data Transfer Rate: 1.8ms
CHINA Memória de circuito integrado de alto desempenho 1,8 ms Taxa de transferência 166 MHz Retenção de dados

Memória de circuito integrado de alto desempenho 1,8 ms Taxa de transferência 166 MHz Retenção de dados

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Data Transfer Rate: 1.8ms
Voltage: 1.7V ~ 2V
CHINA Tempo de acesso Memória de circuito integrado não volátil com armazenamento de circuito integrado

Tempo de acesso Memória de circuito integrado não volátil com armazenamento de circuito integrado

Voltage: 1.7V ~ 2V
Access Time: Non-Volatile
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
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