CHINA Memória de circuito integrado de 2 GB com capacidade de retenção de dados de 166 MHz para processamento de alta velocidade

Memória de circuito integrado de 2 GB com capacidade de retenção de dados de 166 MHz para processamento de alta velocidade

Voltage: 1.7V ~ 2V
Access Time: Non-Volatile
Type: Integrated Circuit Storage
CHINA Memória de circuito integrado de retenção de dados de alta velocidade a 166 MHz para armazenamento eficiente

Memória de circuito integrado de retenção de dados de alta velocidade a 166 MHz para armazenamento eficiente

Data Transfer Rate: 1.8ms
Type: Integrated Circuit Storage
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
CHINA Memória de circuito integrado confiável e eficiente 2 GB Capacidade 1,8 ms Taxa de transferência de dados

Memória de circuito integrado confiável e eficiente 2 GB Capacidade 1,8 ms Taxa de transferência de dados

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Retention: 166 MHz
CHINA Memória de circuito integrado durável com retenção de dados de longa duração 166 MHz

Memória de circuito integrado durável com retenção de dados de longa duração 166 MHz

Type: Integrated Circuit Storage
Data Transfer Rate: 1.8ms
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
CHINA Memória de circuito integrado de 2 GB para armazenamento de dados confiável e simplificado

Memória de circuito integrado de 2 GB para armazenamento de dados confiável e simplificado

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
Type: Integrated Circuit Storage
CHINA Retenção de dados 166 MHz com memória de circuito integrado com armazenamento

Retenção de dados 166 MHz com memória de circuito integrado com armazenamento

Voltage: 1.7V ~ 2V
Type: Integrated Circuit Storage
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
CHINA Memória de circuito integrado de alto desempenho com retenção de dados não voláteis 166 MHz

Memória de circuito integrado de alto desempenho com retenção de dados não voláteis 166 MHz

Capacity: 2Gb
Access Time: Non-Volatile
Data Transfer Rate: 1.8ms
CHINA Memória de circuito integrado de retenção de dados de 166 MHz para melhoria do desempenho

Memória de circuito integrado de retenção de dados de 166 MHz para melhoria do desempenho

Access Time: Non-Volatile
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Type: Integrated Circuit Storage
CHINA Memória de circuito integrado de alto desempenho para tarefas exigentes

Memória de circuito integrado de alto desempenho para tarefas exigentes

Data Retention: 166 MHz
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
CHINA Memória de circuito integrado compacto com retenção de dados de 1,7 V - 2 V de tensão de 166 MHz

Memória de circuito integrado compacto com retenção de dados de 1,7 V - 2 V de tensão de 166 MHz

Access Time: Non-Volatile
Data Retention: 166 MHz
Type: Integrated Circuit Storage
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