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Circuito integrado tipo memória flash NOR - Tensão de alimentação mínima de 2,7 V
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
|---|---|
| Memory Capacity: | 4Mbit |
| Write Cycle Time - Word: | 50µs |
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Circuito integrado de memória flash IC com tempo de ciclo de gravação de 50 μS
| Escreva o tempo de ciclo - palavra: | 50µs |
|---|---|
| Tensão de fonte - máxima: | 3,6 V |
| Velocidade: | 50ns |
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2.7 V Tensão de alimentação - Min Circuito integrado para um desempenho fiável
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
|---|---|
| Data Retention: | 20 Years |
| Operating Temperature: | -40°C ~ 85°C |
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Reel de embalagem para circuito integrado com 20 anos de conservação de dados
| Write Cycle Time - Page: | 50µs |
|---|---|
| Product Type: | Flash Memory IC |
| Packaging: | Reel |
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Circuito integrado de embalagem de bobina com pacote/caixote SOIC-8 a preços competitivos
| Memory Capacity: | 4Mbit |
|---|---|
| Mounting Type: | Surface Mount |
| Product Type: | Flash Memory IC |
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Circuito integrado de embalagem de bobina com tipo de memória flash NOR
| Memory Organization: | 512K X 8 |
|---|---|
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Data Retention: | 20 Years |
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Voltagem - Fornecimento 2.7 V - 3.6 V Circuito integrado com armazenamento de dados estendido
| Package / Case: | SOIC-8 |
|---|---|
| Memory Type: | NOR Flash |
| Mounting Type: | Surface Mount |
Embalagem de bobina chip de circuito integrado com 20 anos de retenção de dados
| Escreva o tempo de ciclo - página: | 50µs |
|---|---|
| Escreva o tempo de ciclo - palavra: | 50µs |
| Capacidade de memória: | 4Mbit |
4Mbit Flash Memory IC 3,6V Tensão de alimentação Máxima
| Empacotamento: | Carretel |
|---|---|
| Escreva o tempo de ciclo - página: | 50µs |
| Tipo da memória: | NEM instantâneo |
Circuito integrado SOIC-8 512K X 8 50ns
| Velocidade: | 50ns |
|---|---|
| Escreva o tempo de ciclo - palavra: | 50µs |
| Retenção dos dados: | 20 anos |