CHINA Distância de tensão de alimentação 2,7 V - 3,6 V Circuito integrado com capacidade de memória de 4 Mbit

Distância de tensão de alimentação 2,7 V - 3,6 V Circuito integrado com capacidade de memória de 4 Mbit

Mounting Type: Surface Mount
Memory Type: NOR Flash
Speed: 50ns
CHINA Organização de memória eficiente 512K X 8 Circuito integrado com tempo de ciclo de gravação 50μs

Organização de memória eficiente 512K X 8 Circuito integrado com tempo de ciclo de gravação 50μs

Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7 V ~ 3.6 V
Packaging: Reel
CHINA 50μs Tempo de ciclo de gravação Circuito integrado 2.7V - 3.6V Tensão - Fornecimento

50μs Tempo de ciclo de gravação Circuito integrado 2.7V - 3.6V Tensão - Fornecimento

Product Type: Flash Memory IC
Supply Voltage - Min: 2.7 V
Voltage - Supply: 2.7 V ~ 3.6 V
CHINA Circuito integrado SOIC-8 eficiente com 20 anos de retenção de dados para necessidades industriais

Circuito integrado SOIC-8 eficiente com 20 anos de retenção de dados para necessidades industriais

Product Type: Flash Memory IC
Data Retention: 20 Years
Supply Voltage - Max: 3.6 V
CHINA NOR Flash circuito integrado 2,7 V - 3,6 V Tensão - Fornecer memória fiável

NOR Flash circuito integrado 2,7 V - 3,6 V Tensão - Fornecer memória fiável

Package / Case: SOIC-8
Data Retention: 20 Years
Write Cycle Time - Page: 50µs
CHINA Circuito integrado eficiente com 20 anos de conservação de dados - Tensão de alimentação mínima 2,7 V

Circuito integrado eficiente com 20 anos de conservação de dados - Tensão de alimentação mínima 2,7 V

Data Retention: 20 Years
Packaging: Reel
Mounting Type: Surface Mount
CHINA Voltagem de alimentação - Min 2,7 V Circuito integrado para soluções de eficiência energética

Voltagem de alimentação - Min 2,7 V Circuito integrado para soluções de eficiência energética

Data Retention: 20 Years
Packaging: Reel
Memory Capacity: 4Mbit
VIDEO CHINA 50μs Criar Chips de Tempo de Ciclo com Velocidade de 50ns

50μs Criar Chips de Tempo de Ciclo com Velocidade de 50ns

Tipo de produto: Memória Flash IC
Velocidade: 50ns
Tipo da memória: NEM instantâneo
VIDEO CHINA Capacidade de memória de 4Mbit 20 anos de retenção de dados 50ns Chip de velocidade

Capacidade de memória de 4Mbit 20 anos de retenção de dados 50ns Chip de velocidade

Montando o tipo: Montagem de superfície
Tensão - fonte: 2,7 V ~ 3,6 V
Tensão de fonte - máxima: 3,6 V
VIDEO CHINA 50ns Velocidade 512K X 8 Organização de memória 2,7V-3.6V Chip de alimentação de tensão

50ns Velocidade 512K X 8 Organização de memória 2,7V-3.6V Chip de alimentação de tensão

Empacotamento: Carretel
Capacidade de memória: 4Mbit
Escreva o tempo de ciclo - palavra: 50µs
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