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Distância de tensão de alimentação 2,7 V - 3,6 V Circuito integrado com capacidade de memória de 4 Mbit
| Mounting Type: | Surface Mount |
|---|---|
| Memory Type: | NOR Flash |
| Speed: | 50ns |
Organização de memória eficiente 512K X 8 Circuito integrado com tempo de ciclo de gravação 50μs
| Operating Temperature: | -40°C ~ 85°C |
|---|---|
| Voltage - Supply: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Packaging: | Reel |
50μs Tempo de ciclo de gravação Circuito integrado 2.7V - 3.6V Tensão - Fornecimento
| Product Type: | Flash Memory IC |
|---|---|
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
| Voltage - Supply: | 2.7 V ~ 3.6 V |
Circuito integrado SOIC-8 eficiente com 20 anos de retenção de dados para necessidades industriais
| Product Type: | Flash Memory IC |
|---|---|
| Data Retention: | 20 Years |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
NOR Flash circuito integrado 2,7 V - 3,6 V Tensão - Fornecer memória fiável
| Package / Case: | SOIC-8 |
|---|---|
| Data Retention: | 20 Years |
| Write Cycle Time - Page: | 50µs |
Circuito integrado eficiente com 20 anos de conservação de dados - Tensão de alimentação mínima 2,7 V
| Data Retention: | 20 Years |
|---|---|
| Packaging: | Reel |
| Mounting Type: | Surface Mount |
Voltagem de alimentação - Min 2,7 V Circuito integrado para soluções de eficiência energética
| Data Retention: | 20 Years |
|---|---|
| Packaging: | Reel |
| Memory Capacity: | 4Mbit |
50μs Criar Chips de Tempo de Ciclo com Velocidade de 50ns
| Tipo de produto: | Memória Flash IC |
|---|---|
| Velocidade: | 50ns |
| Tipo da memória: | NEM instantâneo |
Capacidade de memória de 4Mbit 20 anos de retenção de dados 50ns Chip de velocidade
| Montando o tipo: | Montagem de superfície |
|---|---|
| Tensão - fonte: | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Tensão de fonte - máxima: | 3,6 V |
50ns Velocidade 512K X 8 Organização de memória 2,7V-3.6V Chip de alimentação de tensão
| Empacotamento: | Carretel |
|---|---|
| Capacidade de memória: | 4Mbit |
| Escreva o tempo de ciclo - palavra: | 50µs |

