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Distância de tensão de alimentação 2,7 V - 3,6 V Circuito integrado com capacidade de memória de 4 Mbit
Mounting Type: | Surface Mount |
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Memory Type: | NOR Flash |
Speed: | 50ns |
Organização de memória eficiente 512K X 8 Circuito integrado com tempo de ciclo de gravação 50μs
Operating Temperature: | -40°C ~ 85°C |
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Voltage - Supply: | 2.7 V ~ 3.6 V |
Packaging: | Reel |
50μs Tempo de ciclo de gravação Circuito integrado 2.7V - 3.6V Tensão - Fornecimento
Product Type: | Flash Memory IC |
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Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
Voltage - Supply: | 2.7 V ~ 3.6 V |
Circuito integrado SOIC-8 eficiente com 20 anos de retenção de dados para necessidades industriais
Product Type: | Flash Memory IC |
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Data Retention: | 20 Years |
Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
NOR Flash circuito integrado 2,7 V - 3,6 V Tensão - Fornecer memória fiável
Package / Case: | SOIC-8 |
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Data Retention: | 20 Years |
Write Cycle Time - Page: | 50µs |
Circuito integrado eficiente com 20 anos de conservação de dados - Tensão de alimentação mínima 2,7 V
Data Retention: | 20 Years |
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Packaging: | Reel |
Mounting Type: | Surface Mount |
Voltagem de alimentação - Min 2,7 V Circuito integrado para soluções de eficiência energética
Data Retention: | 20 Years |
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Packaging: | Reel |
Memory Capacity: | 4Mbit |
50μs Criar Chips de Tempo de Ciclo com Velocidade de 50ns
Tipo de produto: | Memória Flash IC |
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Velocidade: | 50ns |
Tipo da memória: | NEM instantâneo |
Capacidade de memória de 4Mbit 20 anos de retenção de dados 50ns Chip de velocidade
Montando o tipo: | Montagem de superfície |
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Tensão - fonte: | 2,7 V ~ 3,6 V |
Tensão de fonte - máxima: | 3,6 V |
50ns Velocidade 512K X 8 Organização de memória 2,7V-3.6V Chip de alimentação de tensão
Empacotamento: | Carretel |
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Capacidade de memória: | 4Mbit |
Escreva o tempo de ciclo - palavra: | 50µs |