CHINA Circuito integrado de embalagem de bobina com pacote/caixote SOIC-8 a preços competitivos

Circuito integrado de embalagem de bobina com pacote/caixote SOIC-8 a preços competitivos

Memory Capacity: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Product Type: Flash Memory IC
CHINA Reel de embalagem para circuito integrado com 20 anos de conservação de dados

Reel de embalagem para circuito integrado com 20 anos de conservação de dados

Write Cycle Time - Page: 50µs
Product Type: Flash Memory IC
Packaging: Reel
CHINA 2.7 V Tensão de alimentação - Min Circuito integrado para um desempenho fiável

2.7 V Tensão de alimentação - Min Circuito integrado para um desempenho fiável

Supply Voltage - Min: 2.7 V
Data Retention: 20 Years
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
CHINA Circuito integrado tipo memória flash NOR - Tensão de alimentação mínima de 2,7 V

Circuito integrado tipo memória flash NOR - Tensão de alimentação mínima de 2,7 V

Supply Voltage - Max: 3.6 V
Memory Capacity: 4Mbit
Write Cycle Time - Word: 50µs
CHINA Circuito integrado de memória flash IC com tempo de ciclo de gravação de 50 μS

Circuito integrado de memória flash IC com tempo de ciclo de gravação de 50 μS

Escreva o tempo de ciclo - palavra: 50µs
Tensão de fonte - máxima: 3,6 V
Velocidade: 50ns
CHINA Embalagem de bobina chip de circuito integrado com 20 anos de retenção de dados

Embalagem de bobina chip de circuito integrado com 20 anos de retenção de dados

Escreva o tempo de ciclo - página: 50µs
Escreva o tempo de ciclo - palavra: 50µs
Capacidade de memória: 4Mbit
CHINA 4Mbit Flash Memory IC 3,6V Tensão de alimentação Máxima

4Mbit Flash Memory IC 3,6V Tensão de alimentação Máxima

Empacotamento: Carretel
Escreva o tempo de ciclo - página: 50µs
Tipo da memória: NEM instantâneo
CHINA Circuito integrado SOIC-8 512K X 8 50ns

Circuito integrado SOIC-8 512K X 8 50ns

Velocidade: 50ns
Escreva o tempo de ciclo - palavra: 50µs
Retenção dos dados: 20 anos
CHINA 2.7V Embalagens de bobinas de circuito integrado

2.7V Embalagens de bobinas de circuito integrado

Tipo da memória: NEM instantâneo
Tensão de fonte - máxima: 3,6 V
Tipo de produto: Memória Flash IC
CHINA Reel Packaging Circuito integrado disponível com organização de memória 512K X 8

Reel Packaging Circuito integrado disponível com organização de memória 512K X 8

Supply Voltage - Max: 3.6 V
Supply Voltage - Min: 2.7 V
Data Retention: 20 Years
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