CHINA Autenticação IC automotivo 6-TDFN das comunicações DS28C36Q+T dos trabalhos em rede

Autenticação IC automotivo 6-TDFN das comunicações DS28C36Q+T dos trabalhos em rede

Modelo: DS28C36Q+T
Tipo: Microplaqueta da autenticação
Aplicações: Automotivo
CHINA DS1270Y-70 memória Flash IC SRAM não temporário IC 16Mb 70ns

DS1270Y-70 memória Flash IC SRAM não temporário IC 16Mb 70ns

Modelo: DS1270Y-70#
Tecnologia: NVSRAM (SRAM permanente)
Tamanho de memória: 16Mb (2M x 8)
CHINA Paralela de NAND Memory IC 128Gb do FLASH de 48-TSOP MT29F128G08AJAAAWP ITZ A (16G X 8)

Paralela de NAND Memory IC 128Gb do FLASH de 48-TSOP MT29F128G08AJAAAWP ITZ A (16G X 8)

Modelo: MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:
Tecnologia: FLASH - NAND
Tamanho de memória: 128Gb (16G x 8)
CHINA TLC EMMC 100-BGA de SM662PEF BESS Flash Memory IC Nand Flash

TLC EMMC 100-BGA de SM662PEF BESS Flash Memory IC Nand Flash

Modelo: BESS DE SM662PEF
Tecnologia: FLASH - NAND (TLC)
Interface de Memória: EMMC
CHINA Bandeja INSTANTÂNEA de IC da memória de 128GBIT THGAMVG7T13BAIL IC EMMC 153FBGA

Bandeja INSTANTÂNEA de IC da memória de 128GBIT THGAMVG7T13BAIL IC EMMC 153FBGA

Modelo: THGAMVG7T13BAIL
Embalagem: Bandeja
Estado do produto: Ativo
CHINA Base Chip Automotive PG-TSDSO-24-1 do sistema do SBC de RoHS TLE9461ESXUMA1 Lite

Base Chip Automotive PG-TSDSO-24-1 do sistema do SBC de RoHS TLE9461ESXUMA1 Lite

mdoel: TLE9461ESXUMA1
Tipo: Microplaqueta da base do sistema (SBC)
Aplicações: Automotivo
CHINA Controlador de dispositivo de 80-HTQFP DLPA200PFP 3D DMD Digitas Micromirror

Controlador de dispositivo de 80-HTQFP DLPA200PFP 3D DMD Digitas Micromirror

Modelo: DLPA200PFP
Tipo: Dispositivo de Digitas Micromirror (DMD), motorista
Aplicações: Automotivo
CHINA Memória Flash IC 6-TDFN Chip Medical Surface Mount automotivo de DS28E50Q+T

Memória Flash IC 6-TDFN Chip Medical Surface Mount automotivo de DS28E50Q+T

Modelo: DS28E50Q+T
Tipo: Microplaqueta da autenticação
Aplicações: Automotivo
VIDEO CHINA Circuito integrado tipo memória flash NOR - Tensão de alimentação mínima de 2,7 V

Circuito integrado tipo memória flash NOR - Tensão de alimentação mínima de 2,7 V

Supply Voltage - Max: 3.6 V
Memory Capacity: 4Mbit
Write Cycle Time - Word: 50µs
VIDEO CHINA Circuito integrado de memória flash IC com tempo de ciclo de gravação de 50 μS

Circuito integrado de memória flash IC com tempo de ciclo de gravação de 50 μS

Escreva o tempo de ciclo - palavra: 50µs
Tensão de fonte - máxima: 3,6 V
Velocidade: 50ns
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