DMN4800LSSQ-13 montagem 8-SO da superfície 1.46W do N-canal 30 V 8.6A (Ta) (Ta)

Lugar de origem EUA
Marca Diodes Incorporated
Certificação RoHS
Número do modelo DMN4800LSSQ-13
Quantidade de ordem mínima 2500
Preço negotiations
Detalhes da embalagem Carretel de fita (TR)
Tempo de entrega 5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento T/T
Habilidade da fonte 7500

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Detalhes do produto
Modelo DMN4800LSSQ-13 Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) 30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 8,6A (Ta) Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9A, 10V Dissipação de energia (máx.) 1,46W (Ta)
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Descrição de produto

DMN4800LSSQ-13 montagem 8-SO da superfície 1.46W do N-canal 30 V 8.6A (Ta) (Ta)

Descrição

Este MOSFET é projetado minimizar a resistência do em-estado (o RDS (SOBRE)) no entanto para manter o desempenho de comutação superior, fazendo o ideal para as aplicações de grande eficacia da gestão do poder.

 

Aplicações

Backlighting do 

o  põe funções de gestão

conversores do  DC-DC

 

Características

baixa Em-resistência do 

baixa capacidade entrada do 

velocidade de comutação rápida do 

escapamento do entrada/saída do  baixo

 totalmente sem chumbo & inteiramente RoHS complacente

halogênio e antimônio do  livres. Dispositivo “verde”

o  qualificou aos padrões AEC-Q101 para a confiança alta

 PPAP capaz

 

Dados mecânicos

caso do : SO-8

material do caso do : Plástico moldado, composto moldando “verde”. Classificação da inflamabilidade do UL que avalia 94V-0

sensibilidade de umidade do : Ao nível 1 por J-STD-020

conexões de terminais do : Veja o diagrama

terminais do : Revestimento - Matte Tin Annealed sobre Leadframe de cobre. Solderable por MIL-STD-202, método 208

peso do : 0.072g (aproximado)

DMN4800LSSQ-13 montagem 8-SO da superfície 1.46W do N-canal 30 V 8.6A (Ta) (Ta) 0

 

Categoria
Produtos de semicondutor discretos
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Mfr
Diodos incorporados
Série
Automotivo, AEC-Q101
Tipo do FET
N-canal
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
30 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
8.6A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
14mOhm @ 9A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
1.6V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
8,7 nC @ 5 V
Vgs (máximo)
±25V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
798 PF @ 10 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
1.46W (Ta)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor
8-SO
Pacote/caso
8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)

 

ORIGINAL

 

Nossa empresa assegura-se de que cada grupo de produtos venha da fábrica original, e pode-se fornecer etiquetas originais e relatórios profissionais da agência de teste.

 

PREÇO

 

Nós fornecemos uma variedade de canais da cotação, e assinamos o contrato da ordem após a negociação.

 

TRANSAÇÃO

 

Após uma comunicação e o acordo, nós guiá-lo-emos para arranjar o pagamento.

 

CICLO DE ENTREGA

 

A entrega no mesmo dia, geralmente 5-12 dias de trabalho, pode levemente ser atrasada durante a epidemia, nós continuará o processo inteiro.

 

TRANSPORTE

 

Nós escolheremos o modo apropriado do transporte de acordo com seu país.

 

EMPACOTAMENTO

 

Após uma comunicação com você, nós escolheremos o método de empacotamento apropriado de acordo com o peso dos bens assegurar a entrega segura dos bens.