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DMP6050SFG-13 montagem PowerDI3333-8 da superfície 1.1W do P-canal 60 V 4.8A (Ta) (Ta)
| Lugar de origem | EUA |
|---|---|
| Marca | Diodes Incorporated |
| Certificação | RoHS |
| Número do modelo | DMP6050SFG-13 |
| Quantidade de ordem mínima | 3000 |
| Preço | negotiations |
| Detalhes da embalagem | Carretel de fita (TR) |
| Tempo de entrega | 5-8 dias do trabalho |
| Termos de pagamento | T/T |
| Habilidade da fonte | 6000 |
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xDetalhes do produto
| Modelo | DMP6050SFG-13 | Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) |
|---|---|---|---|
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4,8A (Ta) |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 5A, 10V |
Descrição de produto
DMP6050SFG-13 montagem PowerDI3333-8 da superfície 1.1W do P-canal 60 V 4.8A (Ta) (Ta)
Descrição e aplicações
Este MOSFET foi projetado minimizar a resistência do em-estado (o RDS (SOBRE)) no entanto para manter o desempenho de comutação superior, fazendo o ideal para aplicações da gestão do poder da eficiência elevada.
Backlighting do
o põe funções de gestão
conversores do DC-DC
Características e benefícios
o baixo RDS (SOBRE) – assegura em perdas do estado são minimizados
o pacote termicamente eficiente pequeno do fatora de formulários do permite uns produtos finais mais altos da densidade
o ocupa apenas 33% da área da placa ocupada por SO-8 permitindo o produto acabado menor
totalmente sem chumbo & inteiramente RoHS complacente
halogênio e antimônio do livres. Dispositivo “verde”
Dados mecânicos
caso do : POWERDI® 3333-8
material do caso do : Plástico moldado, composto moldando “verde”. Classificação da inflamabilidade do UL que avalia 94V-0
sensibilidade de umidade do : Ao nível 1 por J-STD-020
indicador das conexões terminais do : Veja o diagrama
terminais do : Revestimento
Matte Tin Annealed sobre Leadframe de cobre. Solderable por MIL-STD-202, método 208
peso do : 0,072 gramas (aproximado)
especificação de DMP6050SFG-13
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Categoria
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Produtos de semicondutor discretos
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
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Mfr
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Diodos incorporados
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Série
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-
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Tipo do FET
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P-canal
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
|
60 V
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
|
4.8A (Ta)
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|
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
|
4.5V, 10V
|
|
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
|
50mOhm @ 5A, 10V
|
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
|
3V @ 250µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
|
24 nC @ 10 V
|
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Vgs (máximo)
|
±20V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
|
1293 PF @ 30 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
|
1.1W (Ta)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Montagem de superfície
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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PowerDI3333-8
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Pacote/caso
|
8-PowerVDFN
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ORIGINAL
Nossa empresa assegura-se de que cada grupo de produtos venha da fábrica original, e pode-se fornecer etiquetas originais e relatórios profissionais da agência de teste.
PREÇO
Nós fornecemos uma variedade de canais da cotação, e assinamos o contrato da ordem após a negociação.
TRANSAÇÃO
Após uma comunicação e o acordo, nós guiá-lo-emos para arranjar o pagamento.
CICLO DE ENTREGA
A entrega no mesmo dia, geralmente 5-12 dias de trabalho, pode levemente ser atrasada durante a epidemia, nós continuará o processo inteiro.
TRANSPORTE
Nós escolheremos o modo apropriado do transporte de acordo com seu país.
EMPACOTAMENTO
Após uma comunicação com você, nós escolheremos o método de empacotamento apropriado de acordo com o peso dos bens assegurar a entrega segura dos bens.
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