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Potente chip de circuito integrado 1.2W Dissipação de energia 24mA Corrente - Saída Alta Baixa
| Propagation Delay: | 2.5ns |
|---|---|
| Supply Current: | 2.5mA |
| Frequency: | 50MHz |
Capacitores eletrolíticos de alumínio de pacote radial com faixa de temperatura de -40°C a 105°C
| ESR: | 0.04Ω |
|---|---|
| Size: | 6.3x11mm |
| Voltage: | 25V |
Material isolante de poliéster DIP com resistência de contacto 20mΩ Max
| Pitch: | 2.54mm |
|---|---|
| Operating Temperature: | -55°C To +105°C |
| Mounting Type: | Through Hole |
Reel Packaging Circuito integrado disponível com organização de memória 512K X 8
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
|---|---|
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
| Data Retention: | 20 Years |
Tipo de pacote QFN para chip de circuito integrado com oito saídas
| Frequency: | 50MHz |
|---|---|
| Number of Outputs: | 8 |
| Voltage - Supply: | 2.5 V ~ 5.5 V |
Distância de tensão de alimentação 2,7 V - 3,6 V Circuito integrado com capacidade de memória de 4 Mbit
| Mounting Type: | Surface Mount |
|---|---|
| Memory Type: | NOR Flash |
| Speed: | 50ns |
6Capacitores eletrolíticos de alumínio de.3x11 mm da série EKZE para aplicações eletrónicas
| Lead Length: | 5mm |
|---|---|
| Capacitance: | 470uF |
| Package: | Radial |
ICs de alimentação compactas e fiáveis FETs integrados para integração transparente
| Operating Temperature: | -40°C To +85°C |
|---|---|
| Control Interface: | PWM, I2C, SPI, Analog |
| Integrated Inductor: | Yes |
Conector DIP de bronze de fósforo com capacidade de resistência à tensão dieléctrica de corrente alternada de 500 V
| Operating Temperature: | -55°C To +105°C |
|---|---|
| Contact Plating: | Gold |
| Contact Material: | Phosphor Bronze |
Capacitores eletrolíticos de alumínio Lumissil com capacidade de 470 uF
| Leakage Current: | 0.03CV Or 3mA |
|---|---|
| Lead Spacing: | 5mm |
| Series: | EKZE |