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Circuito integrado tipo memória flash NOR - Tensão de alimentação mínima de 2,7 V
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
|---|---|
| Memory Capacity: | 4Mbit |
| Write Cycle Time - Word: | 50µs |
Chip de circuito fiável para aplicações de pré-amplificadores com tensão de 3 V a 3,6 V - Fornecimento
| Voltage - Supply: | 3V ~ 3.6V |
|---|---|
| Operating Temperature: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type: | Surface Mount |
Circuito integrado de alimentação por corrente contínua/câmbio para gama de sinais de 0 a 5 V
| Sensor Type: | Integrated Circuit Sensor |
|---|---|
| Sampling Rate: | 1KHz |
| Power Supply: | DC/AC |
Voltagem 1,7 V - 2 V Memória de circuito integrado 2 GB para armazenamento eficiente de dados
| Capacity: | 2Gb |
|---|---|
| Data Retention: | 166 MHz |
| Voltage: | 1.7V ~ 2V |
Circuito de proteção contra falhas transitórias IC de proteção com tensão de fixação máxima de 36 V
| Response Time: | 1.5ns |
|---|---|
| Number of Channels: | 1 |
| Maximum Operating Temperature: | +125℃ |
DIP premium com tensão resistente dielétrica 500V AC Resistência de contato 20mΩ Max
| Contact Resistance: | 20mΩ Max |
|---|---|
| Termination Method: | Solder |
| Contact Plating: | Gold |
SMD Chip Resistor Array V20PWM10CHM3/I 12V PWM 10 Canal para sinais de alta velocidade
| Type: | Discrete Semiconductor |
|---|---|
| Voltage: | 5V, 12V, 24V, Etc. |
| Package: | DIP, SOP, SMD, Etc. |
ICs integrados de alimentação por compensação para corrente de saída 2A-10A
| FETs integrados: | - Sim, sim. |
|---|---|
| Diodo integrado da tira de bota: | - Sim, sim. |
| Características de protecção: | A sobretensão, sobrecarga, procura um caminho mais curto, parada programada térmica |
Circuito integrado de sinal de saída de 4-20mA com armazenamento de dados de 128KB
| Sensibilidade: | 0.1 mV/V |
|---|---|
| Impedância: | 50Ω |
| Tempo de resposta: | 1ms |
Método de terminação da solda DIP com resistência de contacto Max 20mΩ
| Método da terminação: | Solda |
|---|---|
| Tipo de conector: | DIP |
| Nomenclatura de tensão: | 250V |