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Montagem de superfície IC 4.75V do nanovolt 8-SOIC do controlador de DS1312S-2+T&R IC ~ 5.5V
| Modelo: | DS1312S-2+T&R |
|---|---|
| Tipo de controlador: | RAM não volátil |
| Estado do produto: | Ativo |
Montagem de superfície permanente de cristal de DS1321E+ IC CTRL nanovolt 5V 20TSSOP RAM IC
| Modelo: | DS1321E+ |
|---|---|
| Tipo de controlador: | RAM não volátil |
| Estado do produto: | Ativo |
Microplaqueta EMMC 100-BGA de SM662PXF BESS Pol Module Flash Memory IC
| Modelo: | SM662PXF BESS |
|---|---|
| Tecnologia: | FLASH - NAND (TLC) |
| Estado do produto: | Ativo |
Paralela 150 Ns 28-CPGA da memória Flash de AT28C256-15UM Pol Module EEPROM IC
| Modelo: | AT28C256-15UM/883-815 |
|---|---|
| Tecnologia: | EEPROM |
| Estado do produto: | Ativo |
A memória IC 256Kb de AT28C256-20UM Pol Module 28-CPGA EEPROM paraleliza 200 Ns
| Modelo: | AT28C256-20UM/883-815 |
|---|---|
| Tecnologia: | EEPROM |
| Estado do produto: | Ativo |
Memória EMMC 153-BGA do TLC IC de SM662PXF BFSS IC Nand Flash
| Modelo: | SM662PXF BFSS |
|---|---|
| Tecnologia: | FLASH - NAND (TLC) |
| Estado do produto: | Ativo |
AT28C256E-25UM Pol Module 256Kb EEPROM IC 250 paralelos Ns 28-CPGA
| Modelo: | AT28C256E-25UM/883-815 |
|---|---|
| Tecnologia: | EEPROM |
| Estado do produto: | Ativo |
Memória não temporária IC de FEMC512GBE-E530 NAND Memory IC 4Tb 200MHz
| Modelo: | FEMC512GBE-E530 |
|---|---|
| Tecnologia: | FLASH - NAND (TLC) |
| Estado do produto: | Ativo |
Memória Flash IC EMMC de SM662PXF Pol Module BFST 153-BGA não temporário
| Modelo: | SM662PXF BFST |
|---|---|
| Tecnologia: | FLASH - NAND (TLC) |
| Estado do produto: | Ativo |
TLC EMMC 100-BGA de SM662GXF BFSS Nand Flash Memory IC ativo
| Modelo: | SM662GXF BFSS |
|---|---|
| Tecnologia: | FLASH - NAND (SLC), FLASH - NAND (TLC) |
| Estado do produto: | Ativo |